一种复合结构式中子流屏蔽装置
授权
摘要
一种复合结构式中子流屏蔽装置，包括密闭的屏蔽壳，屏蔽壳的中间位置有一用于放置中子发生器的空腔；屏蔽壳由四层复合材料结构构成，包括中子减速层，χ射线屏蔽层，γ射线屏蔽层和屏蔽装置保护层；本实用新型能够实现实时对中子管产生的散射中子进行屏蔽，采用分层多层次的屏蔽材料的组合方式，吸收效果高，综合性能强，有效的减少辐射对中子发生器的伤害，同时也减少中子产生的人体辐射伤害，具有结构简单、安装方便、可重复使用、成本低及防辐射效果好的优点，对于核反应的辐射屏蔽有很大的应用市场。
基本信息
专利标题 ：
一种复合结构式中子流屏蔽装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020449495.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-01
授权号 ：
CN212061894U
授权日 ：
2020-12-01
发明人 ：
高育宾辛督强陆杰
申请人 ：
西京学院
申请人地址 ：
陕西省西安市长安区西京路1号
代理机构 ：
西安智大知识产权代理事务所
代理人 ：
杨晔
优先权 ：
CN202020449495.7
主分类号 ：
G21F1/12
IPC分类号 ：
G21F1/12 G21F1/10 G21F1/08
IPC结构图谱
G
G部——物理
G21
核物理；核工程
G21F
G21FX射线，γ射线、微粒射线或粒子轰击的防护；处理放射性污染材料；及其去污染装置
G21F1/00
以材料组分为特征的防护物
G21F1/12
叠层防护材料
法律状态
2020-12-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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