一种中子分析器屏蔽装置
授权
摘要
本实用新型涉及一种中子分析器屏蔽装置,其特征在于,包括屏蔽体、零角度屏蔽块部件、第一固定支撑、第二固定支撑、升降屏蔽块部件、支撑体、上盖、连接板和控制器;屏蔽体是由屏蔽筒部分和扇形屏蔽板部分固定连接而成的内部中空的柱状结构;扇形屏蔽板部分上设置有入射中子通道,屏蔽筒部分的顶部设置有第一固定支撑、零角度屏蔽块部件、第二固定支撑和若干升降屏蔽块部件;第一固定支撑、第二固定支撑和扇形屏蔽板部分的顶部均固定连接支撑体,上盖的顶部通过若干连接板固定连接支撑体;零角度屏蔽块部件和每一升降屏蔽块部件还分别电连接控制器,本实用新型可广泛用于中子散射技术领域中。
基本信息
专利标题 :
一种中子分析器屏蔽装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201920698454.9
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-05-16
授权号 :
CN210071707U
授权日 :
2020-02-14
发明人 :
张红霞程鹏徐大业刘娟娟汪晋辰鲍威
申请人 :
中国人民大学
申请人地址 :
北京市海淀区中关村大街59号
代理机构 :
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 :
孙楠
优先权 :
CN201920698454.9
主分类号 :
G01N23/20008
IPC分类号 :
G01N23/20008 G01N23/207 G01T3/02
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N23/00
利用波或粒子辐射来测试或分析材料,例如未包括在G01N3/00-G01N17/00、G01N 21/00 或G01N 22/00中的X射线或中子
G01N23/20
利用材料辐射的衍射,例如,用于测试晶体结构;利用材料辐射的散射,例如测试非晶材料;利用材料辐射的反射
G01N23/20008
分析仪零件结构,例如其特征在于X射线源、检测器或光学系统;其配件;样品制备
法律状态
2020-02-14 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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