一种低输入电容IGBT
授权
摘要
本实用新型提供一种低输入电容的IGBT，它包括从下至上依次布置的背面P注入区和N‑区，在N‑区的两侧具有P阱区，在前述P阱区的内部均布置有N+源区，在两P阱区和中部N‑区交界位置的上表面均布置有栅氧区，在两栅氧区的中部布置场氧区，且前述场氧区位于N‑区的上表面，两栅氧区以及部分与对应栅氧区相邻的场氧区的上表面具有多晶栅区。本实用新型的IGBT通过在元胞区保留场氧化层并去掉该氧化层上的多晶层，保留了注入增强型优点的同时，输入电容降低了35％以上，使得芯片在相对较低的饱和压降下，提高了开关速度，降低了开关损耗。
基本信息
专利标题 ：
一种低输入电容IGBT
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020457300.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-01
授权号 ：
CN211743163U
授权日 ：
2020-10-23
发明人 ：
朱旭强
申请人 ：
宜兴杰芯半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市宜兴市新街百合工业园新岳路2号
代理机构 ：
北京思创大成知识产权代理有限公司
代理人 ：
尹慧晶
优先权 ：
CN202020457300.3
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/423 H01L29/739
法律状态
2020-10-23 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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