一种整面反射镜的垂直结构LED芯片
授权
摘要
本实用新型公开了一种整面反射镜的垂直结构LED芯片，结构包括：n电极、外延层、绝缘层、反射金属层、保护层金属、键合层金属和支撑导电基板。具体的，键合层金属顶部设有第一凸起，保护层金属包括第一凹槽和第二凸起，反射金属层包括第二凹槽和第三凸起，绝缘层安装于所述第三凸起外侧，外延层安装于绝缘层和反射金属层上；通过在反射金属层第三凸起的外侧设置有绝缘层，能够有效阻止金属离子迁移到LED芯片侧面，同时，由于采取了绝缘层去阻挡反射金属层的金属离子迁移，所以就不需要将反射金属层内缩，这样反射金属层的反射面积就会比现有的垂直结构LED芯片的反射面积要大，从而有效提高了LED芯片亮度。
基本信息
专利标题 ：
一种整面反射镜的垂直结构LED芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020458084.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-01
授权号 ：
CN212161845U
授权日 ：
2020-12-15
发明人 ：
李国强
申请人 ：
河源市众拓光电科技有限公司
申请人地址 ：
广东省河源市高新技术开发区兴业大道东边、高新一路创业服务中心三楼317室
代理机构 ：
广州凯东知识产权代理有限公司
代理人 ：
李勤辉
优先权 ：
CN202020458084.4
主分类号 ：
H01L33/44
IPC分类号 ：
H01L33/44 H01L33/46 H01L33/00
法律状态
2020-12-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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