反射镜和P电极独立的AlGaInP LED芯片

授权

摘要

本实用新型公开了反射镜和P电极独立的AlGaInP LED芯片，所述芯片从下至上依次包括：基板、键合金属层、P电极金属层、反射金属层、低折射率介质层、P型掺杂层、发光层、具有粗化表面的粗化层、N型掺杂层、N电极，所述反射金属层与所述低折射率介质层构成全方位反射镜，反射金属层与低折射率介质层上设有若干P电极孔，P电极金属层通过P电极孔与P型掺杂层接触；N电极由焊盘和若干扩展电极线组成，P电极孔位于相邻的扩展电极线之间。本实用户新型提出的反射镜和P电极相互独立的AlGaInP LED芯片，可以同时兼顾高光反射率和低欧姆接触，最终可以提高AlGaInP LED芯片的电光转换效率。

基本信息

专利标题：

反射镜和P电极独立的AlGaInP LED芯片

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020404096.9

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-03-26

授权号：

CN211980633U

授权日：

2020-11-20

发明人：

吴小明陈芳陶喜霞王光绪李树强江风益

申请人：

南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司

申请人地址：

江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号

代理机构：

江西省专利事务所

代理人：

张文

优先权：

CN202020404096.9

主分类号：

H01L33/32

IPC分类号：

H01L33/32 H01L33/46 H01L33/38 H01L33/00