一种具有双极化反射相位调控的高效率超表面单元
专利申请权、专利权的转移
摘要

本发明公开了一种具有双极化反射相位调控的高效率超表面单元,包括依次设置的表层金属结构层、上层介质板层、下层金属结构层、下层介质板层和底层金属地;表层金属结构层包括第一矩形长条贴片、第二矩形长条贴片、第三矩形长条贴片和第四矩形长条贴片,第一矩形长条贴片、第二矩形长条贴片、第三矩形长条贴片和第四矩形长条贴片之间相互平行,且其均垂直放置;下层金属结构层包括第五矩形长条贴片、第六矩形长条贴片、第七矩形长条贴片和第八矩形长条贴片,第五矩形长条贴片、第六矩形长条贴片、第七矩形长条贴片和第八矩形长条贴片之间相互平行,且均水平放置。本发明采用了两层正交放置的金属结构层,通过变化金属结构层的尺寸参数,使超表面基本单元在x极化和y极化电磁波照射下,均实现了较宽范围的反射相位调控且相位变化梯度基本相同,同时单元具有高的反射效率。

基本信息
专利标题 :
一种具有双极化反射相位调控的高效率超表面单元
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020459418.X
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-04-01
授权号 :
CN211743417U
授权日 :
2020-10-23
发明人 :
陈磊
申请人 :
杭州灵芯微电子有限公司
申请人地址 :
浙江省杭州市经济开发区6号大街260号中自科技园19幢506室
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN202020459418.X
主分类号 :
H01Q15/00
IPC分类号 :
H01Q15/00  
法律状态
2021-06-25 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01Q 15/00
登记生效日 : 20210616
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 杭州灵芯微电子有限公司
变更后权利人 : 上海赢矽微电子有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 310018 浙江省杭州市经济开发区6号大街260号中自科技园19幢506室
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区松涛路563号1幢318室
2020-10-23 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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