一种区熔炉籽晶切除装置
授权
摘要
本实用新型提供了一种区熔炉籽晶切除装置，包括导轨、气动剪和连接杆，所述导轨一端固定连接在炉室外侧壁上，所述连接杆后端通过传送机构连接在导轨上，前端伸入炉室并连接有气动剪，所述气动剪上通过气路与炉室外侧的气源连接，所述气动剪、传送机构均连接至PLC。本实用新型有益效果：在不开炉的情况下，利用气动剪将籽晶夹头上断棱、断苞的单晶头部连同一部分籽晶一起剪下，籽晶夹头上剩余的籽晶继续用作拉晶使用；该装置节约工时，省去了更换籽晶的工序。
基本信息
专利标题 ：
一种区熔炉籽晶切除装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020474771.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-02
授权号 ：
CN212175073U
授权日 ：
2020-12-18
发明人 ：
李伟凡安爱博孙健王聚安王彦君
申请人 ：
中环领先半导体材料有限公司;天津中环领先材料技术有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市宜兴经济技术开发区东氿大道
代理机构 ：
天津滨海科纬知识产权代理有限公司
代理人 ：
李莎
优先权 ：
CN202020474771.5
主分类号 ：
C30B13/00
IPC分类号 ：
C30B13/00 C30B13/28
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B13/00
区域熔融法单晶生长；区域熔融法精炼
法律状态
2020-12-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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