具有温度补偿的管式PECVD装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种具有温度补偿的管式PECVD装置，包括工作台室、主机室及气源柜，工作台室内部设有一套机械驱动机构，机械驱动机构上安装至少一个推拉舟，推拉舟上放置有两个以上对接的石墨舟，主机室内至少具有一个工艺腔室，工艺腔室的内壁为石英管，石英管的外周沿轴向套设石英套管，石英套管外部为加热炉体，石墨舟进入工艺腔室后，加热炉体对应石墨舟对接的部位设置有加热电阻丝和对接部温度控制系统。本实用新型使工艺腔室内的温度趋于相同，解决硅片沉积薄膜质量受温度变化影响等问题。
基本信息
专利标题 ：
具有温度补偿的管式PECVD装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020545590.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-14
授权号 ：
CN211848136U
授权日 ：
2020-11-03
发明人 ：
陈庆敏吴晓松李丙科蔡宗捷刘永法
申请人 ：
无锡松煜科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区硕放街道工业园区五期振发二路16号
代理机构 ：
江苏漫修律师事务所
代理人 ：
熊启奎
优先权 ：
CN202020545590.7
主分类号 ：
C23C16/50
IPC分类号 ：
C23C16/50 C23C16/52
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/50
借助放电的
法律状态
2020-11-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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