一种MOS器件漏电流瞬态采样装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种MOS器件漏电流瞬态采样装置。所述装置包括MOS漏极电流测试电路和MOS漏极电流计算电路，MOS漏极电流测试电路与被测MOS器件的漏极相连，且其输入端接收外部输入的漏极电压Vd，根据该漏极电压Vd，输出采样得到的漏极电流信号Vo；MOS漏极电流计算电路与MOS漏极电流测试电路的输出端双向连接，根据收到的漏极电流信号Vo和被测MOS器件的漏电流级别控制MOS漏极电流测试电路的漏电流采样数量级，且根据收到的漏极电流信号Vo计算得到被测MOS器件的瞬态漏电流值Id。本实用新型可以在保证漏电流分辨率的同时，测试多种纳安到微安级别漏电流的MOS器件，测试电路成本低。
基本信息
专利标题 ：
一种MOS器件漏电流瞬态采样装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020560779.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-16
授权号 ：
CN212134921U
授权日 ：
2020-12-11
发明人 ：
乔海张驰戴明志李荣张杰陈思鲁杨桂林
申请人 ：
中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请人地址 ：
浙江省宁波市镇海区庄市大道519号
代理机构 ：
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
王锋
优先权 ：
CN202020560779.3
主分类号 ：
G01R31/52
IPC分类号 ：
G01R31/52 G01R31/26
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/52
测试短路、泄漏电流或接地故障
法律状态
2020-12-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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