一种集成电流采样功能的超结器件，器件从内到外依次为超结元胞区、过渡区和终端区，所述过渡区同时充当电流采样区，过渡区的第一导电类型半导体外延层中设有两个第二导电类型半导体柱且顶部分别具有第二导电类型半导体区，两个第二导电类型半导体区顶部分别与源极电位和栅极电位相连，两个第二导电类型半导体区之间为第一导电类型半导体导电通道，用于与超结器件外接的过流保护电路的电流采样端相连。本发明利用超结DMOS的过渡区实现电流采样功能，无需新增采样元胞，有效的减小了芯片面积，且采样区的制备工艺和常规超结DMOS工艺完全兼容，不增加工艺难度和工艺成本。