兼顾高低频性能的超宽带耦合器结构
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摘要
本实用新型涉及一种兼顾高低频性能的超宽带耦合器结构，耦合器结构包括第一层磁环、第二层磁环和射频同轴线，所述的第一层磁环环绕在射频同轴线外，所述的第二层磁环套在第一层磁环外部，所述的第一层磁环的外径小于第二层磁环的内径；所述的第一层磁环为镍锌磁环，所述的第二层磁环为锰锌磁环。采用了本实用新型的兼顾高低频性能的超宽带耦合器结构，在更宽的频率范围内均有较好的方向性指标，在超低频率高高频段指标有显著改善提高。本实用新型的优点之二是同一尺寸的耦合器，基于本实用新型的双层磁环结构，在不改变现有的耦合器外形结构尺寸的前提下，可以同时显著改善耦合器的高低频方向性指标，拓宽耦合器的工作频率范围。
基本信息
专利标题 ：
兼顾高低频性能的超宽带耦合器结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020586448.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-20
授权号 ：
CN211480252U
授权日 ：
2020-09-11
发明人 ：
陈铭周文博陈勇姚武伟
申请人 ：
上海创远仪器技术股份有限公司
申请人地址 ：
上海市松江区泗泾镇泗砖路351号6幢
代理机构 ：
上海智信专利代理有限公司
代理人 ：
王洁
优先权 ：
CN202020586448.7
主分类号 ：
H01P5/00
IPC分类号 ：
H01P5/00
法律状态
2020-09-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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