一种狭缝聚焦型超高真空运行的磁偏转电子束蒸发源
授权
摘要
本实用新型提供了一种狭缝聚焦型超高真空运行的磁偏转电子束蒸发源，包括蒸发区和电子发射区，所述蒸发区包括坩埚(2)，所述电子发射区包括直通腔体(5)、电子枪(11)和主磁场(9)，所述电子发射区和所述蒸发区之间通过直通腔体上端法兰与蒸发区下端法兰连接，所述蒸发区下端法兰与所述直通腔体上端法兰之间设置有隔离板(12)；所述坩埚(2)设置在所述隔离板(12)上；所述隔离板(12)上设置有聚焦通孔(1)；所述聚焦通孔(1)包括磁铁基座(13)与多块偶数片磁铁(14)。本实用新型有益效果是：大幅度消除高温环境下由于材料表面逸放出的杂质成分气体及轻元素对薄膜纯度以及蒸发源性能及其寿命的影响，从而提高蒸发源性能与寿命。
基本信息
专利标题 ：
一种狭缝聚焦型超高真空运行的磁偏转电子束蒸发源
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020591488.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-20
授权号 ：
CN213652624U
授权日 ：
2021-07-09
发明人 ：
阿力甫·库提鲁克李浩梅新灵谢斌平
申请人 ：
费勉仪器科技（上海）有限公司
申请人地址 ：
上海市宝山区顾村工业园区富联二路189号4幢
代理机构 ：
上海精晟知识产权代理有限公司
代理人 ：
姜杉
优先权 ：
CN202020591488.0
主分类号 ：
C23C14/30
IPC分类号 ：
C23C14/30
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
C23C14/28
波能法或粒子辐射法
C23C14/30
电子轰击法
法律状态
2021-07-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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