一种硅衬底上GaN/二维AlN异质结整流器
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摘要
本实用新型公开了一种硅衬底上GaN/二维AlN异质结整流器，属于整流器领域。该整流器包括依次层叠的硅衬底、GaN缓冲层、碳掺杂半绝缘化GaN层、二维AlN层、非掺杂GaN层、非掺杂InGaN层和SiNx钝化层，还包括设置在一侧的台面隔离凹槽和肖特基接触电极，所述台面隔离凹槽与非掺杂GaN层、非掺杂InGaN层、SiNx钝化层和肖特基接触电极接触，所述肖特基接触电极与台面隔离凹槽、非掺杂GaN层接触。本实用新型二维AlN的厚度仅有几个原子层，故受到的应力和极化强度相较AlGaN更大。因此，本实用新型GaN/二维AlN的异质结构可产生超高浓度且迁移率超大的二维电子气，从而实现频率和效率的大幅提升。
基本信息
专利标题 ：
一种硅衬底上GaN/二维AlN异质结整流器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020666088.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-27
授权号 ：
CN212010980U
授权日 ：
2020-11-24
发明人 ：
王文樑李国强杨昱辉孔德麒邢志恒
申请人 ：
华南理工大学
申请人地址 ：
广东省广州市天河区五山路381号
代理机构 ：
广州粤高专利商标代理有限公司
代理人 ：
何淑珍
优先权 ：
CN202020666088.1
主分类号 ：
H01L29/778
IPC分类号 ：
H01L29/778 H01L29/06 H01L29/45 H01L29/47 H01L21/335
法律状态
2020-11-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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