一种声学换能器结构及其阵列
授权
摘要
本实用新型提供一种声学换能器结构及其阵列，该声学换能器结构包括衬底、中心凹腔、至少一环形凹腔及振膜，其中，中心凹腔自衬底上表面开口，并往衬底下表面方向延伸；至少一环形凹腔环绕于中心凹腔周围，环形凹腔的内圈边缘与中心凹腔的边缘之间间隔预设距离；振膜位于衬底上表面，并覆盖中心凹腔及环形凹腔的开口。本实用新型可通过机械加工或者基于半导体工艺的MEMS制成，实现逐层向外的结构之间的机械动态相关性，达到不同振膜之间机械频响耦合的效果。通过简单物理器件结构的重复组合，不但实现器件自身固有机械共振频率，而且也使共振模态相互耦合，达到在其它频率频响，从而实现更广域的声学动态响应，并提高响应范围内的声场强度。
基本信息
专利标题 ：
一种声学换能器结构及其阵列
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020752659.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-09
授权号 ：
CN211744711U
授权日 ：
2020-10-23
发明人 ：
张嵩松
申请人 ：
上海新微技术研发中心有限公司
申请人地址 ：
上海市嘉定区城北路235号1号楼
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘星
优先权 ：
CN202020752659.3
主分类号 ：
H04R1/26
IPC分类号 ：
H04R1/26 H04R19/00
法律状态
2020-10-23 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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