基于硅波导的全波段起偏器
授权
摘要
本实用新型公开了一种基于硅波导的全波段起偏器。本实用新型由浅刻蚀锥形渐变硅波导和浅刻蚀条形硅波导构成；所述的浅刻蚀锥形渐变硅波导包括第一浅刻蚀锥形渐变硅波导和第二浅刻蚀锥形渐变硅波导；所述的浅刻蚀条形硅波导为第一浅刻蚀条形硅波导构成；输入硅波导与第一浅刻蚀锥形渐变硅波导相连，第一浅刻蚀条形硅波导分别与第一浅刻蚀锥形渐变硅波导和第二浅刻蚀锥形渐变硅波导相连；第二浅刻蚀锥形渐变硅波导与输出硅波导相连。本实用新型提出的硅波导的全波段起偏器具有低损耗、高消光比、大带宽、加工简单的特点，满足光通信、集成光学等领域的实际需求。
基本信息
专利标题 ：
基于硅波导的全波段起偏器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020826535.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-18
授权号 ：
CN212160140U
授权日 ：
2020-12-15
发明人 ：
时尧成刘卫喜
申请人 ：
浙江大学;舜宇光学（浙江）研究院有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市西湖区浙大路38号
代理机构 ：
杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
朱月芬
优先权 ：
CN202020826535.5
主分类号 ：
G02B6/126
IPC分类号 ：
G02B6/126 G02B6/12
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02B
光学元件、系统或仪器附注
G02B6/00
光导；包含光导和其他光学元件的装置的结构零部件
G02B6/10
光波导式的
G02B6/12
集成光路类型
G02B6/126
利用偏振效应
法律状态
2020-12-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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