一种单晶体硅加工用转移装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种单晶体硅加工用转移装置，包括转移壳体和储灰盒，转移壳体的上、下壁之间固定安装有吸附内壳，所述转移壳体的内腔和吸附内壳之间的腔体为吸附内腔，所述吸附内壳的左壁固定安装有气泵，所述气泵的出气端和吸附内壳的左壁连通，所述转动壳体和吸附内壳的上壁分别设有第一通孔和第二通孔，多个所述第二通孔的下端均固定安装有过滤网，所述转移壳体的左内壁固定安装有两个套筒。本实用新型可以对不同厚度的单晶硅加工件进行转移，而且不会出现与加工件间产生间隙造成转移时脱落或者对加工件施加过大压力造成加工件破损的情况,可以对防灰的过滤网进行清理，并对清理后的灰尘进行处理，防止影响了对单晶硅加工件的吸附效果。
基本信息
专利标题 ：
一种单晶体硅加工用转移装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020838159.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-19
授权号 ：
CN212741584U
授权日 ：
2021-03-19
发明人 ：
侯景成
申请人 ：
广州柏创机电设备有限公司
申请人地址 ：
广东省广州市番禺区石楼镇官桥村工业区二号
代理机构 ：
天津铂茂专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈晓蕾
优先权 ：
CN202020838159.1
主分类号 ：
C30B35/00
IPC分类号 ：
C30B35/00 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B35/00
未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的装置
法律状态
2021-03-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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