一种消除静电释放器件寄生电容的高速开关电路
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
本实用新型公开了一种消除静电释放器件寄生电容的高速开关电路，包括：第一开关管、第二开关管、第一保护管及第二保护管；所述第一开关管与所述第二开关管并联，所述第一保护管设置于所述第一开关管的体区结点，所述第二保护管设置于所述第二开关管的体区结点，且所述第一保护管与所述第二保护管连接；本实用新型彻底消除静电释放器件部分带来的对地寄生电容，从而大大降低高频信号传输衰减。
基本信息
专利标题 ：
一种消除静电释放器件寄生电容的高速开关电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021000367.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-03
授权号 ：
CN211789010U
授权日 ：
2020-10-27
发明人 ：
吕宇强鞠建宏倪胜中
申请人 ：
帝奥微电子有限公司
申请人地址 ：
上海市闵行区吴中路1799号D栋501
代理机构 ：
北京睿智保诚专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
周新楣
优先权 ：
CN202021000367.0
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2020-12-01 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H01L 27/02
变更事项 : 专利权人
变更前 : 帝奥微电子有限公司
变更后 : 江苏帝奥微电子股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 200233 上海市闵行区吴中路1799号D栋501
变更后 : 226000 江苏省南通市崇州大道60号南通创新区紫琅科技城8号楼6层
变更事项 : 专利权人
变更前 : 帝奥微电子有限公司
变更后 : 江苏帝奥微电子股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 200233 上海市闵行区吴中路1799号D栋501
变更后 : 226000 江苏省南通市崇州大道60号南通创新区紫琅科技城8号楼6层
2020-10-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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