一种IGBT负载短路保护的测试装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种IGBT负载短路保护的测试装置，包括耐高压大电容和多个继电器；继电器K1的一端与高压电源的正极端连接，继电器K1的另一端与耐高压大电容的正极端连接，耐高压大电容的正极端与继电器K2的一端连接，继电器K2的另一端与负载的一端连接，负载的另一端与IGBT晶体管的集电极连接，继电器K3与负载并联；IGBT晶体管的发射极与耐高压大电容连接，耐高压大电容与高压电源连接。本实用新型避免了高压电源为保护内部输出端电路不至于因负荷太大导致部分器件失常，而断开功率输出(高压电源保护)造成影响测试准确性的问题，不仅实现短路测试目的，而且保障了测试稳定性，提高了测试准确性。
基本信息
专利标题 ：
一种IGBT负载短路保护的测试装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021249505.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-30
授权号 ：
CN212845733U
授权日 ：
2021-03-30
发明人 ：
吴文臣万顺茂崔石磊徐进峰冯新建
申请人 ：
上海金脉电子科技有限公司
申请人地址 ：
上海市徐汇区肇嘉浜路1033号701室I座
代理机构 ：
上海唯源专利代理有限公司
代理人 ：
曾耀先
优先权 ：
CN202021249505.9
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2021-03-30 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
