硅太阳电池热辅助光诱导衰减加速装置
授权
摘要
本实用新型涉及一种硅太阳电池热辅助光诱导衰减加速装置。其包括柜体以及处理支撑板，在处理支撑板上设置上料盒、下料盒以及加热台，在处理支撑板上方设置电池转移机构，还包括设置于柜体内平面光源、能对所述平面光源进行散热的光源散热机构以及设置于所述平面光源光路上的光源光学机构，平面光源通过光源光学机构能提供加热台上硅太阳电池处理所需的辐照强度；通过加热台能将置于所述加热台上的硅太阳电池加热至所需的温度，同时，通过平面光源能对加热台上加热后的硅太阳电池提供所需的辐照强度，以对硅太阳电池进行所需的热辅助光诱导衰减的处理。本实用新型能缩短热辅助光诱导衰减的时间，提高硅太阳电池的热辅助光诱导衰减检测的效率，降低生产以及检测的成本。
基本信息
专利标题 ：
硅太阳电池热辅助光诱导衰减加速装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021276947.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-03
授权号 ：
CN212517115U
授权日 ：
2021-02-09
发明人 ：
席曦邵剑波刘桂林
申请人 ：
江南大学
申请人地址 ：
江苏省无锡市滨湖区蠡湖大道1800号
代理机构 ：
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
殷红梅
优先权 ：
CN202021276947.2
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66 H01L31/18
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2021-02-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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