一种改良型mos管防静电结构
授权
摘要
本实用新型涉及mos管技术领域，具体为一种改良型mos管防静电结构，包括管帽和若干设于管帽上的引脚，所述管帽的表面设有防静电膜，所述管帽的侧面设有若干引脚插槽，所述引脚插设于引脚插槽内部，所述引脚插槽的槽口的表面设有上下两个第一橡胶层，所述引脚插槽的末端槽壁上设有第一磁片，所述引脚的表面设有第二橡胶层，所述引脚的末端设有第二磁片。本实用新型通过引脚的便捷式插接设计，能够实现Mos管上的引脚的便捷式更换，在出现引脚断裂的情况时，只需更换断裂的引脚即可，而不需要丢弃整个Mos管，避免造成资源的浪费；通过管帽表面的防静电膜的设置能够有效起到防静电的效果。
基本信息
专利标题 ：
一种改良型mos管防静电结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021285204.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-03
授权号 ：
CN212115755U
授权日 ：
2020-12-08
发明人 ：
吕绍明
申请人 ：
深圳市南芯微电子有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙华区观澜街道桂花社区观光路1233号君澜大厦二单元612
代理机构 ：
重庆百润洪知识产权代理有限公司
代理人 ：
张建斌
优先权 ：
CN202021285204.1
主分类号 ：
H05F1/00
IPC分类号 ：
H05F1/00
法律状态
2020-12-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
