用于电磁场近场探测的复合探头
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摘要

本实用新型一种用于电磁场近场探测的复合探头,所述复合探头由基板、磁场探头、电场探头和两个SMA接头组成;基板采用包括顶部铜箔层、底部铜箔层和至少两个中间铜箔层的印制电路板;顶部和底部铜箔层上制作有馈线结构;馈线结构与相应中间铜箔层构成背覆地共面波导;磁场探头和电场探头分别设置在基板的正面和背面;磁场探头、电场探头的末端与相应背覆地共面波导电气连接;背覆地共面波导前端设置有空气桥结构;背覆地共面波导的后端与SMA接头电气连接。本实用新型的有益技术效果是:提出了一种用于电磁场近场探测的复合探头,该复合探头能同步探测电场和磁场,探头能够明显的抑制谐振,结构紧凑,尺寸较小,便于操作、携带。

基本信息
专利标题 :
用于电磁场近场探测的复合探头
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021331417.3
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-07-09
授权号 :
CN212568960U
授权日 :
2021-02-19
发明人 :
郑伟肖珂李寅生
申请人 :
重庆大学
申请人地址 :
重庆市沙坪坝区沙正街174号
代理机构 :
重庆乾乙律师事务所
代理人 :
侯春乐
优先权 :
CN202021331417.3
主分类号 :
G01R29/08
IPC分类号 :
G01R29/08  G01R29/12  G01R33/02  
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01R
测量电变量;测量磁变量
G01R29/00
不包括在G01R19/00至G01R27/00各组中的电量的测量或指示装置
G01R29/08
电磁场特性的测量
法律状态
2021-02-19 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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