一种CMOS工艺兼容的纵向光学耦合系统
授权
摘要
本实用新型公开了一种CMOS工艺兼容的纵向光学耦合系统，应用于微电子集成技术领域，包括：衬底；隐埋氧化物层，隐埋氧化物层形成在衬底上；第一波导，第一波导形成在隐埋氧化物层上；第一波导上设置有光源器件和纵向光波导；第二光波导，第二光波导形成在激光器件和纵向光波导上；第二光波导与激光器件为绝热倒锥设置。本实用新型利用传统微电子领域的CMOS工艺实现高效率纵向光学耦合结构的制备，通过巧妙地设计耦合结构、波导尺寸及光栅参数等，可实现理论上90％以上的耦合效率；可实现片上光源的直接耦合将极大程度提高光芯片的集成度并降低生产成本，从而大大推进光链路的发展。
基本信息
专利标题 ：
一种CMOS工艺兼容的纵向光学耦合系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021352270.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-10
授权号 ：
CN212749307U
授权日 ：
2021-03-19
发明人 ：
周治平朱科建
申请人 ：
北京爱杰光电科技有限公司
申请人地址 ：
北京市海淀区中关村北大街127-1号一层102-4室
代理机构 ：
北京睿智保诚专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
周新楣
优先权 ：
CN202021352270.6
主分类号 ：
G02B6/124
IPC分类号 ：
G02B6/124 G02B6/12 G02B6/42
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02B
光学元件、系统或仪器附注
G02B6/00
光导；包含光导和其他光学元件的装置的结构零部件
G02B6/10
光波导式的
G02B6/12
集成光路类型
G02B6/122
基本光学元件，例如，传导光的光路
G02B6/124
短程透镜或集成光栅
法律状态
2021-03-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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