一种用于高速ADC中的输入缓冲器
授权
摘要
本实用新型公开了一种用于高速ADC中的输入缓冲器，包括两层叠置的输入缓冲结构；第一层输入缓冲结构包括第一MOS晶体管、第一电容、第二MOS晶体管、第二电容、第三MOS晶体管和第三电容；第二层输入缓冲结构包括第四MOS晶体管、第四电容、第五MOS晶体管、第五电容、第六MOS晶体管和第六电容。本实用新型提供了一种用于高速ADC中的输入缓冲器，在输入缓冲器的上下两层，采用叠置的cascode（共源共栅）晶体管来有效增大等效输出阻抗，进而增加增益和SFDR(无杂散动态范围)；本申请理论上可以接受很大范围电平的片外输入信号，因此可以大大增加端接阻抗电路的设计自由度。
基本信息
专利标题 ：
一种用于高速ADC中的输入缓冲器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021364216.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-13
授权号 ：
CN212258935U
授权日 ：
2020-12-29
发明人 ：
王玉军胡俊超
申请人 ：
成都泰格微波技术股份有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市高新西区新文路18号
代理机构 ：
成都巾帼知识产权代理有限公司
代理人 ：
邢伟
优先权 ：
CN202021364216.3
主分类号 ：
H03K19/0185
IPC分类号 ：
H03K19/0185
法律状态
2020-12-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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