一种矩阵式IGBT过流保护电路
授权
摘要
一种矩阵式IGBT过流保护电路，涉及过流保护技术领域。矩阵式IGBT包括多组IGBT开关电路，每组IGBT开关电路由两个反向串联的IGBT开关组成，IGBT开关呈矩阵式分布，每个IGBT开关对应连接一个过流保护电路模块，过流保护电路模块包括IGBT驱动芯片U4、MCU、稳压二极管D2、电阻R1、R6、R9、二极管D1、电容C1、C2、12V供电电源、15V直流电源、电阻R7、R8、稳压二极管D10、电容C5。本实用新型优势损耗较小，集成了关断时过压的功能，延长了IGBT的使用寿命，矩阵式电路，减少了电流传感器的使用，降低了生产成本。
基本信息
专利标题 ：
一种矩阵式IGBT过流保护电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021427213.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-20
授权号 ：
CN212627129U
授权日 ：
2021-02-26
发明人 ：
高慧安陈盼董冰杨沛宇胡健兵康凯杨莉
申请人 ：
上海鼎充新能源技术有限公司
申请人地址 ：
上海市松江区莘砖公路518号临港松江科技城24栋6楼
代理机构 ：
扬州市锦江专利事务所
代理人 ：
王晓青
优先权 ：
CN202021427213.X
主分类号 ：
H02H3/087
IPC分类号 ：
H02H3/087 H02M1/08 G05F1/573 G05F1/575
法律状态
2021-02-26 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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