托盘预热腔及对应的PECVD设备
授权
摘要
本实用新型提供托盘预热腔及对应的PECVD设备。PECVD设备包括：加载模块，其用于将硅片放置在托盘中；托盘转送模块，其用于将由加载模块传送的托盘送至托盘预热腔，并接收已预热的托盘；托盘预热腔，其接收和预热托盘至预设预热温度并将托盘传回至托盘转送模块；加载腔，其配置成接收由托盘转送模块传送的、已预热的托盘；PECVD工艺腔，其接收由加载腔传送的托盘，通过本征和掺杂PECVD工艺在托盘所承载的硅片的一面上沉积形成I/N或I/P型非晶硅薄膜；卸载腔，其接收由PECVD工艺腔传送的托盘；以及卸载模块，其接收由卸载腔传送的托盘并将硅片从托盘中卸载。本实用新型能有效提高设备产能、预热灵活性和预热效率，并能有效降低设备成本。
基本信息
专利标题 ：
托盘预热腔及对应的PECVD设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021443008.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-21
授权号 ：
CN213013087U
授权日 ：
2021-04-20
发明人 ：
杨华新马哲国
申请人 ：
上海理想万里晖薄膜设备有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区江山路2699弄3号厂房
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202021443008.2
主分类号 ：
C23C16/46
IPC分类号 ：
C23C16/46 C23C16/513 H01L31/18
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/46
以加热基体的方法为特征的
法律状态
2021-04-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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