用于提高异质结太阳能电池良率的CVD设备
授权
摘要
本实用新型提供用于提高异质结太阳能电池良率的CVD设备。所述CVD设备包括：CVD反应腔，其用于进行CVD工艺以在设置于其中的硅片上形成CVD薄膜；上料模块，其与CVD反应腔的一侧连接用于将承载有硅片的托盘传送至CVD反应腔，上料模块包括上料模块前段和后段；第一测温模块，其设置在上料模块前段上用于测量其所传送的托盘温度；以及第一降温模块，其设置在上料模块前段上用于在第一测温模块测得的托盘温度高于第一预设温度时，在托盘离开上料模块前段之前将其温度降低到不高于第一预设温度。本实用新型能有效抑制太阳能电池制造中因托盘温度过高导致的硅片边缘氧化及电池黑边现象，能有效提高电池良率和推动太阳能电池的量产化进程。
基本信息
专利标题 ：
用于提高异质结太阳能电池良率的CVD设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021600366.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-05
授权号 ：
CN212894968U
授权日 ：
2021-04-06
发明人 ：
吴科俊陈金元胡宏逵
申请人 ：
上海理想万里晖薄膜设备有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区江山路2699弄3号厂房
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202021600366.X
主分类号 ：
C23C16/54
IPC分类号 ：
C23C16/54 C23C16/52 C23C16/24 H01L31/18 H01L21/67 H01L21/677
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/54
连续镀覆的专用设备
法律状态
2021-04-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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