清洗及除静电装置
授权
摘要
本实用新型涉及一种清洗及除静电装置，包括：第一壳体，包括第一容置空间；传送组件，容置于所述第一容置空间，且所述传送组件具有倾斜于水平面的传送面，所述传送面用于承载基板；以及喷淋组件，容置于所述第一容置空间，且位于所述传送组件上方，所述喷淋组件用于朝向所述传送面喷射清洗液。由于传送面相对水平面倾斜，使得基板也呈相对水平面倾斜的姿态，清洗液喷射到基板上时，基板上的残留物随清洗液流淌到第一容置空间的底部，倾斜的基板可以加速清洗液的流动速度，从而加快清洗速度，不需要大量的清洗液，可节约清洗液用量，缩短清洗时间。
基本信息
专利标题 ：
清洗及除静电装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021603140.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-05
授权号 ：
CN212542367U
授权日 ：
2021-02-12
发明人 ：
兰升友张涛张彬彬杨富可
申请人 ：
重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请人地址 ：
重庆市璧山区璧泉街道钨山路69号（1号厂房）
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
熊永强
优先权 ：
CN202021603140.5
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H05F3/04
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2021-02-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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