一种高压绝缘LED芯片
授权
摘要
本实用新型提出了一种高压绝缘LED芯片，晶片(1)的衬底(13)采用绝缘材料，正装设置于晶片承载片(2)的晶片窗口(21)中，电路(3)以及引线焊盘(31)、电源输入焊盘(32)或电源输入引线盘(33)都设置在晶片承载片(2)前侧面，引线焊盘(31)直接与晶片的电极焊盘(12)连接，晶片(1)与晶片窗口(21)之间的整个周圈缝隙(22)填充有绝缘强度大于1500V的绝缘封胶(81)，实现封装芯片高压绝缘，简单结构、成本低效率高。
基本信息
专利标题 ：
一种高压绝缘LED芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021679311.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-06
授权号 ：
CN214176058U
授权日 ：
2021-09-10
发明人 ：
秦彪
申请人 ：
深圳市秦博核芯科技开发有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙岗区中心城清林西路留学人员创业园二园306室
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202021679311.2
主分类号 ：
H01L33/48
IPC分类号 ：
H01L33/48 H01L33/62 H01L33/52 H01L33/64 H01L25/075
法律状态
2021-09-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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