一种防止电压漂移的校准设备
授权
摘要
本实用新型公开了一种防止电压漂移的校准设备，包括测试治具主体，所述测试治具主体设有MCU、多个GPIO、主测试板、光开关、OLT下行光接入光口、升压电路、限放电路以及电源，所述MCU通过GPIO连接到光开关，光开关通过光纤OLT下行光接入光口连通，OLT下行光接入光口连接有RX光源，光开关还与待测BOSA组件连通。本实用新型在测试治具上添加OLT下行光接入光口，使得在进行APD测试前，先对BOSA组件进行通大光老化实验，在生产阶段就进行老化测试，能够有效防止现网使用接入OLT下行光引起的VBR电压漂移现象，避免ONU设备灵敏度劣化甚至不能使用的困境，提高了BOSA的良品率以及可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一种防止电压漂移的校准设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021681140.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-13
授权号 ：
CN213240399U
授权日 ：
2021-05-18
发明人 ：
王晓明武斌
申请人 ：
芯河半导体科技（无锡）有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号中国传感网国际创新园E1-301
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202021681140.7
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2021-05-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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