减小放大器噪声的熔丝结构
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摘要
本实用新型公开了一种减小放大器噪声的熔丝结构，包括底部的集电区N型衬底，集电区N型衬底底部与集电极c相连；集电区N型衬底上方的沟槽内设有基区P型衬底；基区P型衬底上方的沟槽内设有发射区N型衬底；集电区N型衬底的顶部、基区P型衬底的顶部，以及发射区N型衬底的顶部，设有二氧化硅层；基区P型衬底顶部二氧化硅层上的光刻凹槽与基极b相连；发射区N型衬底顶部二氧化硅层上的光刻凹槽内注入有含锑的多晶硅N型层；多晶硅N型层向二氧化硅层顶部延伸；多晶硅N型层的上方中心设有光刻凹槽，多晶硅N型层的表面设有含As的多晶硅熔丝，多晶硅熔丝上方填充有金属层。本实用新型保证了发射频率，减小了阻值，降低了内部热噪声，可靠性高，使用寿命长。
基本信息
专利标题 ：
减小放大器噪声的熔丝结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021683530.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-13
授权号 ：
CN212783459U
授权日 ：
2021-03-23
发明人 ：
郭虎徐婷婷王照新李建伟
申请人 ：
苏州航芯时代微电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市张家港市经济开发区（市高新技术创业服务中心）D幢208-209室
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202021683530.8
主分类号 ：
H01L29/732
IPC分类号 ：
H01L29/732 H01L29/08 H01L29/10 H01L29/417
法律状态
2021-03-23 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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