基于射频识别应用的CMOS放大器电路及包含电路的集成电路
授权
摘要
本申请公布了一种基于射频识别应用的CMOS放大器电路及包含该电路的集成电路。在硅衬底上布置有CMOS晶体管。所述基于射频识别应用的CMOS放大器由差分结构三级放大器单元构成,所述差分结构三级放大器单元输入级由折叠共源共栅结构组成,所述差分结构三级放大器单元中间级由密勒CMOS跨导放大器构成,所述基于射频识别应用的CMOS放大器连接宽摆幅电流镜,构成直流偏置电路。所述直流偏置电路通过改变电流镜参考电流,实现最佳偏置目的。本申请还公布了一种集成电路。本申请提供的基于射频识别应用的CMOS放大器,具有高增益、高线性度、高稳定性以及紧凑型电路尺寸等优点,适用于射频识别应用中。
基本信息
专利标题 :
基于射频识别应用的CMOS放大器电路及包含电路的集成电路
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021757592.9
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-08-21
授权号 :
CN213783249U
授权日 :
2021-07-23
发明人 :
朱文杰郭健姚鸿
申请人 :
苏州芯智瑞微电子有限公司
申请人地址 :
江苏省苏州市工业园区独墅湖高等教育区林泉街377号公共学院1区325室
代理机构 :
北京连和连知识产权代理有限公司
代理人 :
田方正
优先权 :
CN202021757592.9
主分类号 :
H03F1/26
IPC分类号 :
H03F1/26 H03F1/02 H03F1/56
法律状态
2021-07-23 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载