一种上下进气式CVD反应炉
授权
摘要
本实用新型涉及一种上下进气式CVD炉,包括反应炉主体,反应炉主体外部设置有炉壳,反应炉主体内部包括上反应腔室和下反应腔室,上反应腔室顶部设置有上进气管道,上反应腔室侧面设置有上出气管道;下反应腔室底部设置有下进气管道,下反应腔室侧面设置有下出气管道;上反应腔室和下反应腔室通过挡板进行分隔;上反应腔室和下反应腔室内侧均设置有保温层,保温层的中央设置有两个凹槽,挡板通过凹槽固定在保温层。本实用新型提供的上下进气式CVD炉,使得进料气体分布更加均匀,降低产品的生产成本。同时实现了上下反应腔室进入不同温度的反应原料,分别控温,使得两个腔室可以生产不同的产品,反应炉的使用更加灵活。
基本信息
专利标题 :
一种上下进气式CVD反应炉
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021757964.8
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-08-21
授权号 :
CN213447293U
授权日 :
2021-06-15
发明人 :
刘汝强王殿春孙蕾吴思华周清波
申请人 :
山东国晶新材料有限公司
申请人地址 :
山东省德州市禹城市南环东路88号
代理机构 :
济南金迪知识产权代理有限公司
代理人 :
王素平
优先权 :
CN202021757964.8
主分类号 :
C23C16/26
IPC分类号 :
C23C16/26 C23C16/455 C04B35/83
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/26
仅沉积碳
法律状态
2021-06-15 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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