一种高性能碳化硅IGBT模块的出线铜排结构
授权
摘要
本实用新型适用于出线铜排结构技术领域，提供了一种高性能碳化硅IGBT模块的出线铜排结构，包括高性能碳化硅IGBT模块主体，所述高性能碳化硅IGBT模块主体顶部的两侧均设置有出线铜排主体，所述出线铜排主体的表面设置有增强层，所述增强层远离出线铜排主体的一侧设置有抗氧化层。通过设置高性能碳化硅IGBT模块主体、出线铜排主体、增强层、镀锰层、镀锌层、抗氧化层、镀镍层、镀硼层、耐磨层、镀钼层、镀铬层和防护套的相互配合，达到了耐候性能好且使用强度高的优点，当人们在长期使用出线铜排结构时，不会出现应力差的现象，不会导致其出现折弯，且不会因环境影响造成出现氧化，不影响其使用效果，方便人们使用。
基本信息
专利标题 ：
一种高性能碳化硅IGBT模块的出线铜排结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021833200.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-28
授权号 ：
CN212695898U
授权日 ：
2021-03-12
发明人 ：
陈宇严丽红辛藤
申请人 ：
张家港迪源电子科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市张家港市杨舍镇华昌路沙洲湖科创园
代理机构 ：
苏州金项专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
金星
优先权 ：
CN202021833200.2
主分类号 ：
H02M1/00
IPC分类号 ：
H02M1/00
法律状态
2021-03-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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