具有隧穿钝化接触的高效P型晶体硅太阳能电池
授权
摘要
本实用新型提供了一种具有隧穿钝化接触的高效P型晶体硅太阳能电池，包括硅基体(1)，其特征在于，在硅基体(1)的正面依次沉积有掺磷N型扩散层(2)、隧穿氧化硅薄膜(3)、透明导电薄膜(4)和减反膜(5)，在硅基体(1)的背面沉积有钝化膜(6)，在硅基体(1)的正面设置有正面电极(7)，在硅基体(1)的背面设置有背面电极(8)。本实用新型解决了电池正面的发射极及金属接触区的复合电流密度偏高，同时减弱多晶硅薄膜正面吸光性问题，提供了一种兼顾吸光性及钝化性能的高效P型电池。
基本信息
专利标题 ：
具有隧穿钝化接触的高效P型晶体硅太阳能电池
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021850162.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-28
授权号 ：
CN213520011U
授权日 ：
2021-06-22
发明人 ：
张学玲杨阳冯志强皮亚同·皮·阿特玛特
申请人 ：
天合光能股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号
代理机构 ：
浙江永鼎律师事务所
代理人 ：
郭小丽
优先权 ：
CN202021850162.1
主分类号 ：
H01L31/068
IPC分类号 ：
H01L31/068 H01L31/0224 H01L31/0216 H01L31/18
法律状态
2021-06-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
