一种绝缘垫块及半导体组件

授权

摘要

本说明书一个或多个实施例提供一种绝缘垫块及半导体组件，绝缘垫块包括：本体，所述本体的表面开有至少一个具有第一深度的第一凹槽和至少一个具有第二深度的第二凹槽，所述第一深度与所述第二深度不同；通过深度不同的第一凹槽和第二凹槽，能够满足放电间隙和爬电距离的要求，有效增加爬电距离，同时能够减小绝缘垫块的重量。

基本信息

专利标题：

一种绝缘垫块及半导体组件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021870565.2

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-08-31

授权号：

CN212434600U

授权日：

2021-01-29

发明人：

董超曾文彬孙文伟郭金童邓超陈本龙唐柳生石铿孙永伟邹平

申请人：

株洲中车时代半导体有限公司

申请人地址：

湖南省株洲市石峰区田心高科园半导体三线办公大楼三楼309室

代理机构：

北京风雅颂专利代理有限公司

代理人：

曾志鹏

优先权：

CN202021870565.2

主分类号：

H01L23/13

IPC分类号：

H01L23/13