掺杂碳源以及垂直舟装置
授权
摘要
本公开提供了一种掺杂碳源和垂直舟装置。掺杂碳源为内外径均沿轴向上大下小的母空心锥台；母空心锥台包括沿轴向能够堆叠的多个子空心锥台，各子空心锥台的内外径均形成为沿轴向上大下小，母空心锥台配置成：在首次使用时，多个子空心锥台沿轴向堆叠在一起使用，在重复使用时可选地去掉沿轴向位于最外端的一个子空心锥台。垂直舟装置包括石英管、石英中圈、前段PBN坩埚、后段PBN坩埚以及掺杂碳源；石英管包括第一空心锥台段；石英中圈包括第二空心锥台段；前段PBN坩埚包括第三空心锥台段；后段PBN坩埚包括第四空心锥台段；掺杂碳源用于沿径向夹在第三空心锥台段与第一空心锥台段之间和/或掺杂碳源用于沿径向夹在第四空心锥台段与第二空心锥台段之间。
基本信息
专利标题 ：
掺杂碳源以及垂直舟装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021994387.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-11
授权号 ：
CN212625488U
授权日 ：
2021-02-26
发明人 ：
吕新杨易明辉周铁军
申请人 ：
广东先导先进材料股份有限公司
申请人地址 ：
广东省清远市高新区百嘉工业园27-9号B区
代理机构 ：
北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张向琨
优先权 ：
CN202021994387.4
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L21/22 H01L21/673
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2021-02-26 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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