安瓿瓶管路结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种安瓿瓶管路结构，包括第一管路连在安瓿瓶入口和反应源之间；第二管路第一端连在第一管路的第一阀和第二阀之间，第二端连在第三管路的第三阀和第三管路第二端之间；第三管路第一端连安瓿瓶出口，第二端连在第四管路上第七阀和第八阀之间；第四管路第一端连脱气装置入口，第二端连在第五管路上第九阀和第十阀之间；第五管路连在氦气源和真空源之间；第六管路第一端连在氦气源和真空源之间；第七管路第一端连在第五阀和第六阀之间的第六管路上，第二端连安瓿瓶，检测仪安装在第七管路第一端和第十一阀之间；第八管路连在真空和连脱气装置之间。本实用新型能避免四乙氧基硅烷冷凝导致共通管路堵塞的造成无法对安瓿瓶进行排压。
基本信息
专利标题 ：
安瓿瓶管路结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022020331.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-16
授权号 ：
CN213447295U
授权日 ：
2021-06-15
发明人 ：
张云牛群吴志新张欣刘涛
申请人 ：
上海华力集成电路制造有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
焦天雷
优先权 ：
CN202022020331.5
主分类号 ：
C23C16/44
IPC分类号 ：
C23C16/44 H01L21/67
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
法律状态
2021-06-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
