平板式PECVD设备的局部送气可调的辉光放电装置
授权
摘要

本实用新型公开了一种平板式PECVD设备的局部送气可调的辉光放电装置,包括上电极板、下电极板和送气机构,反应室由腔盖和腔体构成,上电极板安装在腔盖上,下电极板设于腔体的底板上,上电极板包括底盒和多个主管路,底盒的下端面为喷淋板,多个主管路呈矩阵式分布在底盒的上端面,送机机构包括多个送气组件,送气组件与主管路一一对应,送气组件包括送气支管以及设于送气支管上的流量计和控制阀,送气支管与对应的主管路连接。本实用新型将送气机构分成多组送气支路,通过流量计和控制阀调节局部区域的进气速率、气流大小,均衡上电极板的气体量,实现反应室的镀膜速率保持一致,能够大幅度提高镀膜的均匀性,进而大大提高了电池的转换效率。

基本信息
专利标题 :
平板式PECVD设备的局部送气可调的辉光放电装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202022066274.4
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-09-18
授权号 :
CN213708477U
授权日 :
2021-07-16
发明人 :
陈特超曾武杨唐电杨彬杨志权
申请人 :
湖南红太阳光电科技有限公司
申请人地址 :
湖南省长沙市高新开发区桐梓坡西路586号
代理机构 :
湖南兆弘专利事务所(普通合伙)
代理人 :
戴玲
优先权 :
CN202022066274.4
主分类号 :
C23C16/455
IPC分类号 :
C23C16/455  C23C16/50  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2021-07-16 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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