一种熔接式喷射管
授权
摘要
本实用新型公开了一种熔接式喷射管，旨在解决现在的作为喷射管的硅晶体钻长孔时，容易出现偏差，钻孔无法保证其垂直度和平行度的不足。该实用新型包括公组件和母组件，公组件和母组件设有沿长度方向的槽孔，公组件和母组件贴合，所述槽孔相合形成通气孔，公组件面向母组件的一面设有凸出的凸台，母组件上设有内凹的凹槽，凸台与凹槽相适配，公组件上的槽孔设置在凸台上。喷射管为部件熔接构成，管内孔由部件开槽后组合而成，因此可以避免整块材料在加工孔径较小时，无法长距离打孔的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种熔接式喷射管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022126275.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-24
授权号 ：
CN213507187U
授权日 ：
2021-06-22
发明人 ：
韩颖超马志杰李长苏
申请人 ：
杭州盾源聚芯半导体科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市滨江区滨康路668号C幢
代理机构 ：
杭州杭诚专利事务所有限公司
代理人 ：
郑汝珍
优先权 ：
CN202022126275.3
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455 H01L21/67
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2021-06-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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