一种新型多晶硅铸锭装置
授权
摘要

本实用新型公开了一种新型多晶硅铸锭装置,包括外炉,外炉包括顶盖,顶盖底部固定安装有中部炉体,中部炉体底部固定安装有底盖,顶盖顶部固定安装有卸荷口,卸荷口两侧分别固定安装有连接柱,中部炉体一侧固定安装有真空装置,中部炉体另一侧固定安装有氮气输送装置,支撑柱在靠近氮气输送装置一侧固定安装有控制器。该种新型多晶硅铸锭装置及其铸锭方法,结构简单合理,设计新颖,通过外炉有顶盖、中部炉体和底盖三段式设立,达到装置前期便于运输和安装的目的,同时便于装置后期在对多晶硅加热时,通过防护座和集硅池的设置,达到避免高温的硅液接触到炉体,保证装置的安全性,同时也对外溢的硅液进行集中回收。

基本信息
专利标题 :
一种新型多晶硅铸锭装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202022171886.X
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-09-28
授权号 :
CN212533204U
授权日 :
2021-02-12
发明人 :
戚凤鸣许高升孙宗阳
申请人 :
晶海洋半导体材料(东海)有限公司
申请人地址 :
江苏省连云港市东海县高新区(铁路南侧、湖东路东侧)
代理机构 :
连云港润知专利代理事务所
代理人 :
王彦明
优先权 :
CN202022171886.X
主分类号 :
C30B29/06
IPC分类号 :
C30B29/06  C30B28/06  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
法律状态
2021-02-12 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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