一种制备β-SiC纳米粉体的真空还原热处理设备
授权
摘要
本实用新型提出一种制备β‑SiC纳米粉体的真空还原热处理设备,包括炉体,所述炉体内部设有放置盒,所述放置盒为顶部开口结构,所述放置盒内部设有多个隔板,所述放置盒一侧与进料板相接触,所述进料板一端与进料口相连,所述进料口设置在炉体端面上,所述进料板上设有多个凸条,所述凸条底部与滑轨滑动连接,所述滑轨固定连接在进料板顶部,所述凸条数量与隔板数量一致,所述凸条一端与隔板相接触;通过设置放置盒以及在放置盒内设有隔板,并通过进料板进行放置石墨,可保证石墨在放置时间隔一致,提高其还原效果。
基本信息
专利标题 :
一种制备β-SiC纳米粉体的真空还原热处理设备
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202022190986.7
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-09-29
授权号 :
CN213506005U
授权日 :
2021-06-22
发明人 :
姚尚兵张光远
申请人 :
上海皓越电炉技术有限公司
申请人地址 :
上海市嘉定区安亭镇谢泾一路49号
代理机构 :
六安众信知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
鲁晓瑞
优先权 :
CN202022190986.7
主分类号 :
C01B32/97
IPC分类号 :
C01B32/97
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素;其化合物
C01B32/00
碳;其化合物
C01B32/90
碳化物
C01B32/914
单一元素碳化物
C01B32/956
碳化硅
C01B32/963
通过含硅化合物制备
C01B32/97
通过 SiO or SiO2制备
法律状态
2021-06-22 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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