烧结座、芯体结构、基座组件以及压差传感器
授权
摘要

本实用新型提供一种烧结座、芯体结构、基座组件以及压差传感器,该用于压差传感器的烧结座包括壳体以及检测结构,壳体沿第一方向间隔设有开口朝向第二方向的第一腔室和第二腔室,所述第二腔室具有背离所述第二方向的顶壁,所述顶壁贯设有压力孔,所述壳体内设有用于流通流体介质的第一通路,所述第一腔室和第二腔室用于分别安装朝向第二方向设置的第一感振元件和第二感振元件。本实用新型旨在解决感振元件较小时,感振元件的热影响区离感应区较近,降低了感振元件的性能,会导致芯片感测到的经感振元件传递后的压力与实际压力存在偏差。

基本信息
专利标题 :
烧结座、芯体结构、基座组件以及压差传感器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202022336172.X
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-10-18
授权号 :
CN213022100U
授权日 :
2021-04-20
发明人 :
王小平曹万王红明王晓燕梁世豪张超军李凡亮
申请人 :
武汉飞恩微电子有限公司
申请人地址 :
湖北省武汉市东湖开发区高新大道818号医疗器械园B12栋3楼
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN202022336172.X
主分类号 :
G01L13/02
IPC分类号 :
G01L13/02  G01L19/06  G01L19/14  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01L
测量力、应力、转矩、功、机械功率、机械效率或流体压力
G01L13/00
测量两个或更多个流体压力差值的设备或仪表
G01L13/02
应用弹性形变构件或活塞为传感元件的
法律状态
2021-04-20 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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