一种应用于电子级硅单晶炉的主炉室结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种应用于电子级硅单晶炉的主炉室结构，包括设置于主炉室的最上部的上法兰和主炉室的最下部下法兰，主炉室的内壁的上下分别与上法兰和下法兰进行双面焊接，内壁外侧的外壁(3)的上下也分别与上法兰和下法兰进行焊接，内壁和外壁同一位置处均开有孔与取光口座进行双面焊接，内壁和外壁之间设置有导水组件，外壁外侧设置有导水槽结构。本实用新型解决了现有技术中存在的电子级硅单晶炉在工作时由于高温造成主炉室的变形技术问题以及长期使用主炉室存在的漏水隐患的问题；从而降低了主炉室的故障率提高了电子级硅单晶炉的工作效率。
基本信息
专利标题 ：
一种应用于电子级硅单晶炉的主炉室结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022467137.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-30
授权号 ：
CN213804063U
授权日 ：
2021-07-27
发明人 ：
刘丁弋英民张晶张新雨黄伟超
申请人 ：
西安理工大学
申请人地址 ：
陕西省西安市碑林区金花南路5号
代理机构 ：
西安弘理专利事务所
代理人 ：
韩玙
优先权 ：
CN202022467137.1
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2021-07-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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