一种具有调节内部高度的单晶炉主室
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摘要

本实用新型公开了一种具有调节内部高度的单晶炉主室,包括单晶炉主体、第一炉盖、第二炉盖和安装架,所述单晶炉主体上设置有上炉体,且上炉体的顶部通过锁扣与第一炉盖相连接,并且第一炉盖的中部开设有放料口,同时放料口的上固定有第二炉盖,所述上炉体的两侧焊接有支撑架,且支撑架的下方与液压缸螺栓连接,所述上炉体侧壁的下端面开设有收纳槽,且收纳槽与中间环相连接,并且中间环与下炉体焊接连接,同时下炉体的下端位于安装架上,所述上炉体和下炉体的内部均设置有内腔。该具有调节内部高度的单晶炉主室,在直拉式单晶炉底加装主室增高环,增高单晶炉热场高度,将石英坩埚高度增加,增大投料量。

基本信息
专利标题 :
一种具有调节内部高度的单晶炉主室
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201922071784.8
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-11-27
授权号 :
CN211522365U
授权日 :
2020-09-18
发明人 :
杨昊
申请人 :
弘元新材料(包头)有限公司
申请人地址 :
内蒙古自治区包头市青山区装备制造产业园区管委会A座516室
代理机构 :
北京睿博行远知识产权代理有限公司
代理人 :
张燕平
优先权 :
CN201922071784.8
主分类号 :
C30B15/00
IPC分类号 :
C30B15/00  C30B29/06  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
法律状态
2020-09-18 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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