一种单晶炉调高炉底盘上炉室
授权
摘要

本实用新型涉及单晶炉技术领域,具体涉及一种单晶炉调高炉底盘上炉室,包括装置主体,所述装置主体包括底盘主体,且底盘主体顶端固连有锅炉主体,所述底盘主体内部设置有清理机构,且清理机构包括凹槽,所述底盘主体内部开设有凹槽,且凹槽左端通过转轴连接有挡板,所述底盘主体底端内壁固连有固定板,且固定板左端轴承连接有螺纹杆。本实用新型解决了现在的上炉室在进行加料时通常会在底盘洒落一些原料,传统的清理方式需操作者使用扫把对其进行清理,费时费力,且由于炉旁温度较高,长时间的清理原料会对操作者的身体造成损伤的问题,保证了装置的清理效果,提升了操作者在清理时的便利性,且操作便捷,使用简单,提升了装置的实用性。

基本信息
专利标题 :
一种单晶炉调高炉底盘上炉室
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021517376.7
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-07-28
授权号 :
CN212713837U
授权日 :
2021-03-16
发明人 :
倪建刚
申请人 :
浙江浩祥精密机械制造有限公司
申请人地址 :
浙江省湖州市德清县钟管镇振兴南路57号
代理机构 :
浙江新篇律师事务所
代理人 :
李旻
优先权 :
CN202021517376.7
主分类号 :
C30B15/00
IPC分类号 :
C30B15/00  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
法律状态
2021-03-16 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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