一种单晶炉副室
授权
摘要
本实用新型涉及一种清扫擦拭更加方便的单晶炉副室。采用的技术方案包括：单晶炉副室本体，所述单晶炉副室本体的侧壁至少设有一个清洗窗，所述清洗窗包括焊接于所述单晶炉副室本体侧壁上的底座以及通过铰链铰接于所述底座一端的上盖所述上盖内设有冷却液流道、一侧设有与所述冷却液流道连通的进水口和出水口。优点如下：1、通过在单晶炉副室本体侧壁设置一组清洗窗，通过清洗窗可对单晶炉副室本体进行分段清扫擦拭，可以不需要将单晶炉副室本体拆卸。
基本信息
专利标题 ：
一种单晶炉副室
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202220145965.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2022-01-20
授权号 ：
CN216639704U
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
周云龙
申请人 ：
浙江晶泰半导体有限公司
申请人地址 ：
浙江省温州市乐清市乐清经济开发区纬十六路211号
代理机构 ：
杭州浙科专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈包杰
优先权 ：
CN202220145965.X
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2022-05-31 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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