可调节单晶炉中底部反射屏高度的装置
授权
摘要
本实用新型可调节单晶炉中底部反射屏高度的装置,属于蓝宝石晶体制备技术领域;提供一种可调节单晶炉中底部反射屏高度的装置,应用在蓝宝石单晶生长炉,蓝宝石单晶生长炉内设有底部保温屏,该装置包括调节杆,调节杆包括手柄、杆体和支撑部,杆体的一端与手柄连接,杆体的另一端与支撑部连接,杆体上设有若干个密封槽,密封槽内设有密封圈,在蓝宝石单晶生长炉的炉壁上环绕设置有若干外通孔,在蓝宝石单晶生长炉的热场外壳设置有若干内通孔,杆体贯穿炉壁和热场外壳,密封圈与外通孔形成密封,支撑部支撑起底部保温屏。
基本信息
专利标题 :
可调节单晶炉中底部反射屏高度的装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021040178.6
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-06-09
授权号 :
CN212834140U
授权日 :
2021-03-30
发明人 :
陈宏李庆张国威
申请人 :
山西中聚晶科半导体有限公司
申请人地址 :
山西省晋中市榆次区山西示范区晋中开发区汇通产业园区机械园2号
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN202021040178.6
主分类号 :
C30B17/00
IPC分类号 :
C30B17/00 C30B29/20
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B17/00
生长期间籽晶保留在熔融液中的单晶生长,例如Necken-Kyropoulos法
法律状态
2021-03-30 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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