可调节单晶炉中底部反射屏高度的装置
授权
摘要
本实用新型可调节单晶炉中底部反射屏高度的装置，属于蓝宝石晶体制备技术领域；提供一种可调节单晶炉中底部反射屏高度的装置，应用在蓝宝石单晶生长炉，蓝宝石单晶生长炉内设有底部保温屏，该装置包括调节杆，调节杆包括手柄、杆体和支撑部，杆体的一端与手柄连接，杆体的另一端与支撑部连接，杆体上设有若干个密封槽，密封槽内设有密封圈，在蓝宝石单晶生长炉的炉壁上环绕设置有若干外通孔，在蓝宝石单晶生长炉的热场外壳设置有若干内通孔，杆体贯穿炉壁和热场外壳，密封圈与外通孔形成密封，支撑部支撑起底部保温屏。
基本信息
专利标题 ：
可调节单晶炉中底部反射屏高度的装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021040178.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-09
授权号 ：
CN212834140U
授权日 ：
2021-03-30
发明人 ：
陈宏李庆张国威
申请人 ：
山西中聚晶科半导体有限公司
申请人地址 ：
山西省晋中市榆次区山西示范区晋中开发区汇通产业园区机械园2号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202021040178.6
主分类号 ：
C30B17/00
IPC分类号 ：
C30B17/00 C30B29/20
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B17/00
生长期间籽晶保留在熔融液中的单晶生长，例如Necken-Kyropoulos法
法律状态
2021-03-30 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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