一种单晶炉用反射板
授权
摘要
本实用新型公开一种单晶炉用反射板，包括固化碳毡层和反射层，反射层的边缘向固化碳毡层一侧折弯形成折弯边；固化碳毡层中部开设有托杆孔、以几何中心为圆心的边缘开设有多个电极孔以及开设于相邻两电极孔之间的多个排气孔；反射层上开设有与所述托杆孔、电极孔以及排气孔一一对应且位置相同、尺寸相同的通孔。本实用新型通过在固化碳毡层表面覆盖反射层，反射层将炉内加热器辐射过来的热量反射至坩埚处，有利于热场温度的均匀，使单晶炉内的热场温度均匀，减少了炉底热量的损失，降低了单晶硅棒生产的能耗；采用钼板、钨板、钨钼合金板或铱板等材料作为反射层，其熔点高，不易破裂，导热系数低，有效减缓了反射板的老化，延长了其使用寿命。
基本信息
专利标题 ：
一种单晶炉用反射板
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020245512.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-03
授权号 ：
CN211814711U
授权日 ：
2020-10-30
发明人 ：
陈超刘进怀殷勇陈斌
申请人 ：
湖南金创新材料有限公司
申请人地址 ：
湖南省长沙市长沙县果园镇果园大道328号
代理机构 ：
长沙国科天河知识产权代理有限公司
代理人 ：
邱轶
优先权 ：
CN202020245512.5
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2020-10-30 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
