一种带有分隔结构的单晶炉主炉室
授权
摘要

本实用新型涉及单晶炉主炉室结构技术领域,尤其为一种带有分隔结构的单晶炉主炉室,包括主炉室本体,所述主炉室本体的顶端位置密封安装有阀盖,且主炉室本体的内部中上方转动安装有石墨坩埚本体,所述石墨坩埚本体的底端中部位置连接有传动连轴,本实用新型中,通过设置的中心套筒、侧筛网、内筛网、石墨坩埚本体、组合套筒和辅助底座,当中心套筒的设置在能够将整个石墨坩埚的内部分隔成一内一外的嵌套空间的同时,中心套筒可借助侧筛网和内筛网,来对多晶材料熔化后的料液进行过滤处理,通过能够对整个主炉室内的加热场所进行内外的空间分隔,可方便整个主炉室借助这一分隔结构实现对应过滤操作。

基本信息
专利标题 :
一种带有分隔结构的单晶炉主炉室
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202122803779.9
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2021-11-16
授权号 :
CN216614923U
授权日 :
2022-05-27
发明人 :
陈宝华王占峰郎景波
申请人 :
天津雷格盛通真空装备制造有限公司
申请人地址 :
天津市武清区大碱厂镇吉祥道南侧1号
代理机构 :
安徽善安知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
陈庭
优先权 :
CN202122803779.9
主分类号 :
C30B15/00
IPC分类号 :
C30B15/00  C30B29/06  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
法律状态
2022-05-27 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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