一种半开放式反应气循环的热丝CVD金刚石膜生长装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种半开放式反应气循环的热丝CVD金刚石膜生长装置,包括:反应炉、混气装置和气体循环系统,所述混气装置通过第一供气管道与反应炉连接,所述气体循环系统的进气端与反应炉排气口连接,第二供气管道通过循环管路与混气装置的入口端连接。本实用新型所述的一种半开放式反应气循环的热丝CVD金刚石膜生长装置,其结构简单,设计合理,易于生产,通过设置气体循环系统,让气体实现循环使用,减少气体的消耗,降低生产成本,进而让其更好的满足生产的需要。
基本信息
专利标题 :
一种半开放式反应气循环的热丝CVD金刚石膜生长装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202023310858.8
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-12-31
授权号 :
CN216550686U
授权日 :
2022-05-17
发明人 :
王偲偲许晶
申请人 :
太仓市盛达风机制造有限公司
申请人地址 :
江苏省苏州市太仓市沙溪镇松南工业开发区
代理机构 :
苏州市方略专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
刘燕娇
优先权 :
CN202023310858.8
主分类号 :
C23C16/27
IPC分类号 :
C23C16/27 C23C16/448 C23C16/455
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/26
仅沉积碳
C23C16/27
仅沉积金刚石
法律状态
2022-05-17 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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